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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDMS86150 

产品描述

MOSFET N CH 100V 16A POWER56

内部编号

3-FDMS86150

#1

数量:4767
1+¥19.4874
10+¥15.6583
100+¥14.2908
250+¥12.8549
500+¥11.5557
1000+¥9.7095
3000+¥9.2309
6000+¥8.4787
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:6000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDMS86150产品详细规格

规格书 FDMS86150 datasheet 规格书
FDMS86150
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 16A
Rds(最大)@ ID,VGS 4.85 mOhm @ 16A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 62nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4065pF @ 50V
功率 - 最大 2.7W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-PowerTDFN
供应商器件封装 Power56
包装材料 Tape & Reel (TR)
动态目录 N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16104?mpart=FDMS86150&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;

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